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I D25
Polar TM HiPerFET
Power MOSFET
Electrically Isolated Tab
IXFR 200N10P
V DSS = 100 V
= 133 A
R DS(on) ≤ 9 m Ω
t RR ≤ 150 ns
N-Channel Enhancement Mode
Fast Recovery Diode, Avavanche Rated
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M Ω
Continous
Transient
100
100
± 20
± 30
V
V
V
V
ISOPLUS247 (IXFR)
E153432
I D25
I D(RMS)
T C = 25 ° C
External lead current limit
133
75
A
A
G
D
S
ISOLATED TAB
I DM
I AR
E AR
E AS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
400
60
100
4
A
A
mJ
J
G = Gate
S = Source
D = Drain
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
V ISOL
F C
Weight
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 Ω
T C = 25 ° C
50/60 Hz, RMS, 1 minute
Mounting Force
10
300
-55 ... +175
175
-55 ... +150
2500
20..120/4.6..20
5
V/ns
W
° C
° C
° C
V~
Nm/lb
g
Features
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Low drain to tab capacitance(<30pF)
Fast recovery intrinsic diode
Avalanche voltage rated
Applications
DC-DC converters
Battery chargers
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
100
V
AC motor control
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 175 ° C
3.0
5.0
± 100
25
250
1000
V
nA
μ A
μ A
μ A
Advantages
Easy assembly
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 100 A, Note 1
V GS = 15 V, I D = 400A, Note 1
6.0
9
m Ω
m Ω
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99238E(03/06)
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